Lucas123 skryf: "In wat waarskynlik 'n sterk mededinger NAND Flash geheue word, IBM vandag aangekondig dat hy in staat was om suksesvol te slaan meer as' n bietjie van die data per sel in 'n meer stabiele nie-vlugtige herinnering geroep fase-verandering geheue (PCM ). Anders as NEN, Voorheen kon PCM nie stry met flits as gevolg van sy lae kapasiteit punte PCM is dit nie nodig dat die data skoongemaak word voordat nuwe data is geskryf om dit te. waardeur 'n skryf versterking of dra nie en dit het 100 keer die skryf prestasie van die flits. IBM navorsers sê dat hulle beplan om die tegnologie te lisensieer, te geheue vervaardigers in plaas van die vervaardiging van dit self. "
Lees meer van hierdie storie op Slashdot.
No comments:
Post a Comment