siliconbits skryf "A single 'universele' geheue tegnologie wat 'n kombinasie van die spoed van DRAM met die nie-wisselvalligheid en digtheid van flash memory is onlangs uitgevind aan die North Carolina State University, volgens die navorsers. Die nuwe geheue tegnologie, wat gebruik maak van' n dubbele swaai hek veld-effek-transistor, rekenaars moet in staat stel om krag af herinneringe nie tans besoek is, drasties sny van die energie wat verbruik word deur rekenaars van alle soorte, vanaf 'n selfoon en rekenaars te bediener plase en data-sentrums, het die navorsers sê nie. "
Lees meer van hierdie storie op Slashdot.
No comments:
Post a Comment